KBP210G

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	KBP210G
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP
Livret des spécifications:	KBP210G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	244227 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 244227 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de KBP210G

Modèle de produit	KBP210G	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	244227 pcs	Fiche technique	KBP210G.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	1kV	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.1V @ 2A
La technologie	Standard	Package composant fournisseur	KBP
Séries	-	Emballage	Bulk
Package / Boîte	4-SIP, KBP	Autres noms	KBP2010GN KBP2010GN-ND KBP210GGS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Single Phase	Description détaillée	Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
Courant - fuite, inverse à Vr	10µA @ 1000V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	2A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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