S12Q

GeneSiC Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	S12Q
Fabricant / marque:	GeneSiC Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4
Livret des spécifications:	1.S12Q.pdf 2.S12Q.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	16120 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16120 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

100 pcs: $1.903

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Spécifications de S12Q

Modèle de produit	S12Q	Fabricant	GeneSiC Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	16120 pcs	Fiche technique	1.S12Q.pdf 2.S12Q.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	12A
Tension - Ventilation	DO-4	Séries	-
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms	1242-1235 S12QGN S12QGN-ND	Type de montage	Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	S12Q
Description élargie	Diode Standard 1200V (1.2kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4	Configuration diode	10µA @ 50V
La description	DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4	Courant - fuite, inverse à Vr	1.1V @ 12A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	1200V (1.2kV)	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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