| Modèle de produit | S16Q | Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 15445 pcs | Fiche technique | 1.S16Q.pdf2.S16Q.pdf |
| Tension - Inverse de crête (max) | Standard | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 16A |
| Tension - Ventilation | - | Séries | - |
| État RoHS | Bulk | Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F | - | Polarisation | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms | 1242-1238 S16QGN S16QGN-ND |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | S16Q |
| Description élargie | Diode Standard 1200V (1.2kV) 16A Chassis, Stud Mount | Configuration diode | 10µA @ 50V |
| La description | DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA | Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 16A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 1200V (1.2kV) | Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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