GP1M010A080N

Global Power Technologies Group

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Présentation du produit

Modèle de produit:	GP1M010A080N
Fabricant / marque:	Global Power Technologies Group
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Livret des spécifications:	GP1M010A080N.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6225 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6225 pcs

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Spécifications de GP1M010A080N

Modèle de produit	GP1M010A080N	Fabricant	Global Power Technologies Group
La description	MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6225 pcs	Fiche technique	GP1M010A080N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3PN
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	312W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2336pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	900V	Description détaillée	N-Channel 900V 10A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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