Global Power Technologies Group| Modèle de produit | GP2M010A065H | Fabricant | Global Power Technologies Group |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 4905 pcs | Fiche technique | GP2M010A065H.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220 |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 198W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 | Autres noms | 1560-1208-1 1560-1208-1-ND 1560-1208-5 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 9.5A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.5A (Tc) |
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