GSID100A120T2P2

Global Power Technologies Group

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Présentation du produit

Modèle de produit:	GSID100A120T2P2
Fabricant / marque:	Global Power Technologies Group
Description du produit	SILICON IGBT MODULES
Livret des spécifications:	GSID100A120T2P2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	577 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 577 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3 pcs: $52.979

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Spécifications de GSID100A120T2P2

Modèle de produit	GSID100A120T2P2	Fabricant	Global Power Technologies Group
La description	SILICON IGBT MODULES	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	577 pcs	Fiche technique	GSID100A120T2P2.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur	Module	Séries	Amp+™
Puissance - Max	710W	Package / Boîte	Module
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C	NTC thermistance	Yes
Type de montage	Chassis Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	13.7nF @ 25V	Contribution	Three Phase Bridge Rectifier
type de IGBT	-	Description détaillée	IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 200A 710W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	1mA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	200A
Configuration	Three Phase Inverter

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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