IDT (Integrated Device Technology)| Modèle de produit | 70V657S12DRI | Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| La description | IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| Quantité disponible | 7076 pcs | Fiche technique | 1.70V657S12DRI.pdf2.70V657S12DRI.pdf |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns | Tension - Alimentation | 3.15 V ~ 3.45 V |
| La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous | Package composant fournisseur | 208-PQFP (28x28) |
| Séries | - | Emballage | Tray |
| Package / Boîte | 208-BFQFP | Autres noms | 800-2318 IDT70V657S12DRI IDT70V657S12DRI-ND |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 1.125Mb (32K x 36) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | SRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28) | Numéro de pièce de base | IDT70V657 |
| Temps d'accès | 12ns |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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