IS43DR86400E-3DBLI

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IS43DR86400E-3DBLI
Fabricant / marque:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Description du produit	IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Livret des spécifications:	IS43DR86400E-3DBLI.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	12496 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de IS43DR86400E-3DBLI

Modèle de produit	IS43DR86400E-3DBLI	Fabricant	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
La description	IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	12496 pcs	Fiche technique	IS43DR86400E-3DBLI.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	15ns	Tension - Alimentation	1.7 V ~ 1.9 V
La technologie	SDRAM - DDR2	Package composant fournisseur	60-TWBGA (8x10.5)
Séries	-	Emballage	Tray
Package / Boîte	60-TFBGA	Autres noms	706-1561
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Type de mémoire	Volatile
Taille mémoire	512Mb (64M x 8)	Interface mémoire	Parallel
Format de mémoire	DRAM	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ns 60-TWBGA (8x10.5)	Fréquence d'horloge	333MHz
Temps d'accès	450ns

Mode de transport
Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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