DSEP60-06AT

IXYS

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DSEP60-06AT
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA
Livret des spécifications:	DSEP60-06AT.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	17052 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17052 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

30 pcs: $2.124

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Spécifications de DSEP60-06AT

Modèle de produit	DSEP60-06AT	Fabricant	IXYS
La description	DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	17052 pcs	Fiche technique	DSEP60-06AT.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	60A
Tension - Ventilation	TO-268AA	Séries	HiPerFRED™
État RoHS	Tube	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température d'utilisation - Jonction	35ns	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	DSEP60-06AT
Description élargie	Diode Standard 600V 60A Surface Mount TO-268AA	Configuration diode	650µA @ 600V
La description	DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA	Courant - fuite, inverse à Vr	2.04V @ 60A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	600V	Capacité à Vr, F	-55°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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