IXFA4N85X

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFA4N85X
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
Livret des spécifications:	IXFA4N85X.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	29966 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29966 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.222

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Spécifications de IXFA4N85X

Modèle de produit	IXFA4N85X	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	29966 pcs	Fiche technique	IXFA4N85X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-263 (IXFA)
Séries	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	247pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	850V	Description détaillée	N-Channel 850V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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