IXFB120N50P2

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFB120N50P2
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Livret des spécifications:	IXFB120N50P2.pdf
État RoHS	Sans plomb par dérogation / Conforme RoHS
Etat du stock	3908 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3908 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $8.405

25 pcs: $7.069

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Spécifications de IXFB120N50P2

Modèle de produit	IXFB120N50P2	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb par dérogation / Conforme RoHS
Quantité disponible	3908 pcs	Fiche technique	IXFB120N50P2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PLUS264™
Séries	HiPerFET™, PolarHV™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	1890W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-264-3, TO-264AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free by exemption / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	19000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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