IXFH80N65X2

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFH80N65X2
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Livret des spécifications:	IXFH80N65X2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6907 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6907 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.485

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Spécifications de IXFH80N65X2

Modèle de produit	IXFH80N65X2	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 650V 80A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6907 pcs	Fiche technique	IXFH80N65X2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	890W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	632463
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8245pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	143nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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