IXFH9N80

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFH9N80
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Livret des spécifications:	IXFH9N80.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	9566 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9566 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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30 pcs: $2.898

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Spécifications de IXFH9N80

Modèle de produit	IXFH9N80	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 800V 9A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	9566 pcs	Fiche technique	IXFH9N80.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247AD (IXFH)
Séries	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	180W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	Q3837074 Q4932885
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 9A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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