IXFN38N100Q2

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFN38N100Q2
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Livret des spécifications:	IXFN38N100Q2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3654 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3654 pcs

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Spécifications de IXFN38N100Q2

Modèle de produit	IXFN38N100Q2	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3654 pcs	Fiche technique	IXFN38N100Q2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-227B
Séries	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max)	890W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	SOT-227-4, miniBLOC	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	1000V	Description détaillée	N-Channel 1000V 38A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	38A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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