IXFN50N120SIC

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFN50N120SIC
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH
Livret des spécifications:	IXFN50N120SIC.pdf
Etat du stock	1488 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1488 pcs

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Spécifications de IXFN50N120SIC

Modèle de produit	IXFN50N120SIC	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	1488 pcs	Fiche technique	IXFN50N120SIC.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA	Vgs (Max)	+20V, -5V
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	Package composant fournisseur	SOT-227B
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 40A, 20V
Dissipation de puissance (max)	-	Package / Boîte	SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Chassis Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 1000V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 20V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	20V	Tension drain-source (Vdss)	1200V
Description détaillée	N-Channel 1200V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	47A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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