IXFN80N60P3

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFN80N60P3
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Livret des spécifications:	IXFN80N60P3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4348 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4348 pcs

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Spécifications de IXFN80N60P3

Modèle de produit	IXFN80N60P3	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4348 pcs	Fiche technique	IXFN80N60P3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-227B
Séries	HiPerFET™, Polar3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	960W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	SOT-227-4, miniBLOC	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	Not Applicable
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	66A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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