IXFT58N20Q

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFT58N20Q
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Livret des spécifications:	IXFT58N20Q.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4458 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4458 pcs

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Spécifications de IXFT58N20Q

Modèle de produit	IXFT58N20Q	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 200V 58A TO-268	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4458 pcs	Fiche technique	IXFT58N20Q.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-268
Séries	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 29A, 10V
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	58A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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