IXFX100N65X2

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFX100N65X2
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
Livret des spécifications:	IXFX100N65X2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5693 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5693 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $5.244

30 pcs: $4.409

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Spécifications de IXFX100N65X2

Modèle de produit	IXFX100N65X2	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5693 pcs	Fiche technique	IXFX100N65X2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PLUS247™-3
Séries	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1040W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V	Description détaillée	N-Channel 650V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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