IXTA20N65X

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTA20N65X
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
Livret des spécifications:	IXTA20N65X.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	12758 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12758 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.806

50 pcs: $2.254

100 pcs: $2.053

500 pcs: $1.663

1000 pcs: $1.402

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Spécifications de IXTA20N65X

Modèle de produit	IXTA20N65X	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 650V 20A TO-263	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	12758 pcs	Fiche technique	IXTA20N65X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-263 (IXTA)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	320W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1390pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V	Description détaillée	N-Channel 650V 20A (Tc) 320W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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