IXTC200N10T

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTC200N10T
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
Livret des spécifications:	IXTC200N10T.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4854 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4854 pcs

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Spécifications de IXTC200N10T

Modèle de produit	IXTC200N10T	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4854 pcs	Fiche technique	IXTC200N10T.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	ISOPLUS220™
Séries	TrenchMV™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)	160W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	ISOPLUS220™	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 101A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	101A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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