IXTI10N60P

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTI10N60P
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
Livret des spécifications:	IXTI10N60P.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3583 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3583 pcs

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Spécifications de IXTI10N60P

Modèle de produit	IXTI10N60P	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3583 pcs	Fiche technique	IXTI10N60P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-262 (I2PAK)
Séries	PolarHV™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	740 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	200W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1610pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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