IXTN660N04T4

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTN660N04T4
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Livret des spécifications:	1.IXTN660N04T4.pdf 2.IXTN660N04T4.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3820 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3820 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $8.531

10 pcs: $7.891

100 pcs: $6.739

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Spécifications de IXTN660N04T4

Modèle de produit	IXTN660N04T4	Fabricant	IXYS Corporation
La description	40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3820 pcs	Fiche technique	1.IXTN660N04T4.pdf 2.IXTN660N04T4.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-227B
Séries	TrenchT4™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.85 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1040W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SOT-227-4, miniBLOC	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	44000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	860nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	Current Sensing	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	40V	Description détaillée	N-Channel 40V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	660A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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