IXTQ110N10P

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTQ110N10P
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
Livret des spécifications:	IXTQ110N10P.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	16360 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16360 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

30 pcs: $1.781

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Spécifications de IXTQ110N10P

Modèle de produit	IXTQ110N10P	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	16360 pcs	Fiche technique	IXTQ110N10P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3P
Séries	PolarHT™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	480W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3550pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	110A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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