IXTT30N50L2

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTT30N50L2
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Livret des spécifications:	1.IXTT30N50L2.pdf 2.IXTT30N50L2.pdf
État RoHS	Sans plomb par dérogation / Conforme RoHS
Etat du stock	7620 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7620 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.931

30 pcs: $4.147

120 pcs: $3.811

510 pcs: $3.25

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Spécifications de IXTT30N50L2

Modèle de produit	IXTT30N50L2	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb par dérogation / Conforme RoHS
Quantité disponible	7620 pcs	Fiche technique	1.IXTT30N50L2.pdf 2.IXTT30N50L2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-268
Séries	Linear L2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)	400W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free by exemption / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 30A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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