IXTU1R4N60P

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTU1R4N60P
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Livret des spécifications:	IXTU1R4N60P.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4955 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4955 pcs

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Spécifications de IXTU1R4N60P

Modèle de produit	IXTU1R4N60P	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4955 pcs	Fiche technique	IXTU1R4N60P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 25µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-251
Séries	PolarHV™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 700mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	50W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.4A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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