IXTX110N20L2

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTX110N20L2
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
Livret des spécifications:	IXTX110N20L2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3267 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3267 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $10.301

30 pcs: $8.755

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Spécifications de IXTX110N20L2

Modèle de produit	IXTX110N20L2	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3267 pcs	Fiche technique	IXTX110N20L2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 3mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PLUS247™-3
Séries	Linear L2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 55A, 10V
Dissipation de puissance (max)	960W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	200V	Description détaillée	N-Channel 200V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	110A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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