IXTY1R4N120PHV

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTY1R4N120PHV
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH
Livret des spécifications:	IXTY1R4N120PHV.pdf
Etat du stock	37932 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 37932 pcs

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Spécifications de IXTY1R4N120PHV

Modèle de produit	IXTY1R4N120PHV	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	37932 pcs	Fiche technique	IXTY1R4N120PHV.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-252
Séries	Polar™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 Ohm @ 700mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	86W (Tc)	Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	666pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24.8nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1200V
Description détaillée	N-Channel 1200V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.4A (Tc)

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Après vente
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