MII150-12A4

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MII150-12A4
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
Livret des spécifications:	MII150-12A4.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	767 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 767 pcs

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Spécifications de MII150-12A4

Modèle de produit	MII150-12A4	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	767 pcs	Fiche technique	MII150-12A4.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur	Y3-DCB	Séries	-
Puissance - Max	760W	Package / Boîte	Y3-DCB
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	NTC thermistance	No
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	6.6nF @ 25V
Contribution	Standard	type de IGBT	NPT
Description détaillée	IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 180A 760W Chassis Mount Y3-DCB	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	7.5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	180A	Configuration	Half Bridge
Numéro de pièce de base	MII

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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