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International Rectifier (Infineon Technologies)
| Modèle de produit | BSP149L6327HTSA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 5107 pcs | Fiche technique | BSP149L6327HTSA1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-SOT223-4 |
| Séries | SIPMOS® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA | Autres noms | BSP149 L6327 BSP149 L6327-ND BSP149L6327HTSA1TR BSP149L6327INTR BSP149L6327INTR-ND BSP149L6327XT SP000089214 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | Depletion Mode |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 0V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| Description détaillée | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 660mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
