International Rectifier (Infineon Technologies)| Modèle de produit | BUZ30AH3045AATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 89201 pcs | Fiche technique | BUZ30AH3045AATMA1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries | SIPMOS® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Autres noms | BUZ30A H3045A BUZ30A L3045A BUZ30A L3045A-ND BUZ30AH3045AATMA1TR BUZ30AH3045AINTR BUZ30AH3045AINTR-ND BUZ30AL3045AINTR BUZ30AL3045AINTR-ND BUZ30AL3045AXT SP000102176 SP000736082 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V | Description détaillée | N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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