Choisissez votre pays ou région.

Close
Se connecter S'inscrire Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

IDB10S60C

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
IDB10S60C Image
L'image peut être une représentation. Voir les spécifications pour les détails du produit.

Présentation du produit

Modèle de produit: IDB10S60C
Fabricant / marque: International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Livret des spécifications: IDB10S60C.pdf
État RoHS Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock 4394 pcs stock
Bateau de Hong Kong
Manière d'expédition DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4394 pcs
Demander une offre en ligne
Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur " SOUMETTRE la demande de devis ". Nous vous contacterons sous peu par courrier électronique. Ou écrivez-nous:Info@infinity-electronic.com
  • Prix cible:(USD)
  • Qté:

S'il vous plaît nous donner votre prix cible si des quantités supérieures à celles affichées.

  • Modèle de produit
  • Raison sociale
  • Nom du contact
  • Email
  • Message

Spécifications de IDB10S60C

Modèle de produit IDB10S60C Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description DIODE SILICON 600V 10A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible 4394 pcs Fiche technique IDB10S60C.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 10A Tension - inverse (Vr) (max) 600V
Package composant fournisseur D2PAK La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries CoolSiC™ Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms IDB10S60CATMA1
SP000411540
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Silicon Carbide Schottky
Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A (DC) Surface Mount D2PAK Courant - fuite, inverse à Vr 140µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A (DC) Capacité à Vr, F 480pF @ 1V, 1MHz

Mode de transport

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX www.FedEx.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL www.DHL.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS www.UPS.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT www.TNT.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

★ Le délai de livraison nécessitera 2 à 4 jours pour la plupart des pays du monde entier par DHL / UPS / FEDEX / TNT.

N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur l'envoi. Envoyez-nous un email Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTIE APRÈS-VENTE

  1. Chaque produit de Infinity-Semiconductor.com bénéficie d’une période de garantie d’un an. Pendant cette période, nous pouvons fournir une maintenance technique gratuite en cas de problème concernant nos produits.
  2. Si vous rencontrez des problèmes de qualité concernant nos produits après les avoir reçus, vous pouvez les tester et demander un remboursement inconditionnel s’il est prouvé.
  3. Si les produits sont défectueux ou s'ils ne fonctionnent pas, vous pouvez nous le retourner dans un délai d'un an. Tous les frais de transport et de douane de la marchandise sont à notre charge.

Tags associés

Produits connexes

IDB15E60ATMA1
IDB15E60ATMA1
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
En stock: 78792 pcs
Télécharger: IDB15E60ATMA1.pdf
RFQ
IDB09E60ATMA1
IDB09E60ATMA1
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
En stock: 5570 pcs
Télécharger: IDB09E60ATMA1.pdf
RFQ
IDB30E120ATMA1
IDB30E120ATMA1
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
En stock: 27444 pcs
Télécharger: IDB30E120ATMA1.pdf
RFQ
IDB15E60
IDB15E60
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
En stock: 6989 pcs
Télécharger: IDB15E60.pdf
RFQ
IDB18E120ATMA1
IDB18E120ATMA1
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
En stock: 4862 pcs
Télécharger: IDB18E120ATMA1.pdf
RFQ
IDB30E60ATMA1
IDB30E60ATMA1
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
En stock: 71035 pcs
Télécharger: IDB30E60ATMA1.pdf
RFQ
IDB10S60CATMA2
IDB10S60CATMA2
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK
En stock: 20469 pcs
Télécharger: IDB10S60CATMA2.pdf
RFQ
IDB23E60ATMA1
IDB23E60ATMA1
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
En stock: 6782 pcs
Télécharger: IDB23E60ATMA1.pdf
RFQ
IDB-12
IDB-12
Fabricant: JST
La description: TOOL HAND CRIMPER DISCRETE TOP
En stock: 493 pcs
Télécharger: IDB-12.pdf
RFQ
IDB06S60C
IDB06S60C
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
En stock: 4386 pcs
Télécharger: IDB06S60C.pdf
RFQ
IDB12E120ATMA1
IDB12E120ATMA1
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
En stock: 3306 pcs
Télécharger: IDB12E120ATMA1.pdf
RFQ
IDB06S60CATMA2
IDB06S60CATMA2
Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
La description: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2
En stock: 39656 pcs
Télécharger: IDB06S60CATMA2.pdf
RFQ

Nouvelles de l'industrie

Rohm ajoute 10 mosfets SiC automobiles
«L’introduction de la série SCT3xxxxxxHR permet à Rohm d’offrir la plus grande gamme de mosfets...
ON ajoute aux MOSFET SiC
ON Semiconductor a introduit deux MOSFET SiC destinés aux applications VE, solaires et UPS. Les NVH...
APEC: TI pense latéralement à fabriquer une puce ca-cc avec une puissance de secours de 15 mW
«Cet appareil réalise le meilleur équilibre entre efficacité élevée et bruit extrêmement faib...
Contenu sponsorisé: Analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X
L'analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X est un outil très puissant et flexible pour diverses mesure...
Les dépenses en équipements de demi-fabrication devraient diminuer de 14% cette année et augmenter de 27% l’année prochaine
Stimulé par un ralentissement du secteur de la mémoire, le ralentissement économique de 2019 marq...
Power Stamp Alliance réduit la nécessité pour le processeur hôte de surveiller les unités d'alimentation et ajoute une conception de référence
L’Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Solutions Bel Power, Flex et STMicroelectronics) a cré...
APEC: puissance SiC et outils électriques améliorés basés sur le cloud
Les capacités de recherche ont été améliorées et un menu de style carrousel permet de sélectio...
Dengrove ajoute des convertisseurs CC / CC de Recom à encombrement réduit
Ils sont conçus pour des applications nécessitant une densité de puissance élevée, un rendement...
Premier processeur Arm militaire qualifié pour les applications haute fidélité
LS1046A fait partie du portefeuille Arm Layerscape 64 bits de NXP, avec un bras Cortex-A72 quad-core...