International Rectifier (Infineon Technologies)| Modèle de produit | IPB048N06LGATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 5206 pcs | Fiche technique | IPB048N06LGATMA1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Autres noms | IPB048N06L G IPB048N06L G-ND IPB048N06LGATMA1TR IPB048N06LGINTR IPB048N06LGINTR-ND IPB048N06LGXT SP000204181 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 30V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
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