International Rectifier (Infineon Technologies)| Modèle de produit | IPB530N15N3GATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 118059 pcs | Fiche technique | IPB530N15N3GATMA1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 18A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 68W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Autres noms | IPB530N15N3 G IPB530N15N3 G-ND IPB530N15N3 GTR-ND IPB530N15N3G IPB530N15N3GATMA1TR SP000521718 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 887pF @ 75V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 8V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 150V |
| Description détaillée | N-Channel 150V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
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