Infineon Technologies| Modèle de produit | IPP70N04S406AKSA1 | Fabricant | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 151562 pcs | Fiche technique | IPP70N04S406AKSA1.pdf |
| Tension - Test | 2550pF @ 25V | Tension - Ventilation | PG-TO220-3-1 |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5 mOhm @ 70A, 10V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries | OptiMOS™ | État RoHS | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70A (Tc) | Polarisation | TO-220-3 |
| Autres noms | IPP70N04S4-06 IPP70N04S4-06-ND SP000711480 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IPP70N04S406AKSA1 | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 32nC @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 26µA | Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 40V 70A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40V |
| Ratio de capacité | 58W (Tc) |
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