Modèle de produit | IRF100S201 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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La description | MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 54510 pcs | Fiche technique | IRF100S201.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Séries | HEXFET®, StrongIRFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 115A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 441W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Autres noms | IRF100S201-ND IRF100S201TR SP001550868 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 192A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 192A (Tc) |
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