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Infineon Technologies
| Modèle de produit | IRF6610TR1 | Fabricant | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| Quantité disponible | 3705 pcs | Fiche technique | IRF6610TR1.pdf |
| Tension - Test | 1520pF @ 10V | Tension - Ventilation | DIRECTFET™ SQ |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.8 mOhm @ 15A, 10V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries | HEXFET® | État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15A (Ta), 66A (Tc) | Polarisation | DirectFET™ Isometric SQ |
| Autres noms | IRF6610 IRF6610-ND SP001526776 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Référence fabricant | IRF6610TR1 | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 17nC @ 4.5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.55V @ 250µA | Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20V |
| Ratio de capacité | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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