International Rectifier (Infineon Technologies)| Modèle de produit | IRF6621TR1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| Quantité disponible | 6861 pcs | Fiche technique | IRF6621TR1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | DIRECTFET™ SQ |
| Séries | HEXFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | DirectFET™ Isometric SQ | Autres noms | IRF6621 IRF6621-ND IRF6621TR1-ND IRF6621TR1TR SP001524780 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta), 55A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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