IRF6645

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRF6645
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Livret des spécifications:	IRF6645.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	3509 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3509 pcs

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Spécifications de IRF6645

Modèle de produit	IRF6645	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	3509 pcs	Fiche technique	IRF6645.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DIRECTFET™ SJ
Séries	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta), 42W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	DirectFET™ Isometric SJ	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.7A (Ta), 25A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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