IRF6794MTRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRF6794MTRPBF
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET N-CH 25V DIRECTFET MX
Livret des spécifications:	IRF6794MTRPBF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3979 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3979 pcs

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Spécifications de IRF6794MTRPBF

Modèle de produit	IRF6794MTRPBF	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET N-CH 25V DIRECTFET MX	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3979 pcs	Fiche technique	IRF6794MTRPBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DIRECTFET™ MX
Séries	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 32A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 100W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	DirectFET™ Isometric MX	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4420pF @ 13V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 4.5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	Schottky Diode (Body)	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	25V	Description détaillée	N-Channel 25V 32A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	32A (Ta), 200A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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