IRF7822PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRF7822PBF
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Livret des spécifications:	IRF7822PBF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3836 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3836 pcs

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Spécifications de IRF7822PBF

Modèle de produit	IRF7822PBF	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3836 pcs	Fiche technique	IRF7822PBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta)	Emballage	Tube
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	SP001572268
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 16V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 18A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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