IRFH5110TR2PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFH5110TR2PBF
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Livret des spécifications:	IRFH5110TR2PBF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5145 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5145 pcs

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Spécifications de IRFH5110TR2PBF

Modèle de produit	IRFH5110TR2PBF	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5145 pcs	Fiche technique	IRFH5110TR2PBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-PQFN (5x6)
Séries	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 37A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.6W (Ta), 114W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	IRFH5110TR2PBFCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3152pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 11A (Ta), 63A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11A (Ta), 63A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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