Infineon Technologies| Modèle de produit | IRFH5304TRPBF | Fabricant | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 238118 pcs | Fiche technique | IRFH5304TRPBF.pdf |
| Tension - Test | 2360pF @ 10V | Tension - Ventilation | PQFN (5x6) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5 mOhm @ 47A, 10V | Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Séries | HEXFET® |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22A (Ta), 79A (Tc) |
| Polarisation | 8-PowerVDFN | Autres noms | IRFH5304TRPBF-ND IRFH5304TRPBFTR SP001564156 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | IRFH5304TRPBF |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 41nC @ 10V | type de IGBT | ±20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.35V @ 50µA | Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 30V 22A (Ta), 79A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30V |
| Ratio de capacité | 3.6W (Ta), 46W (Tc) |
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