IRFHM792TR2PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFHM792TR2PBF
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Livret des spécifications:	IRFHM792TR2PBF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4442 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4442 pcs

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Spécifications de IRFHM792TR2PBF

Modèle de produit	IRFHM792TR2PBF	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4442 pcs	Fiche technique	IRFHM792TR2PBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 10µA	Package composant fournisseur	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Séries	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 2.9A, 10V
Puissance - Max	2.3W	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	IRFHM792TR2PBFDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	251pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Standard
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.3A	Numéro de pièce de base	IRFHM792PBF

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Après vente
Livret des spécifications

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