IRFHM8337TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFHM8337TRPBF
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Livret des spécifications:	IRFHM8337TRPBF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	371131 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 371131 pcs

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Spécifications de IRFHM8337TRPBF

Modèle de produit	IRFHM8337TRPBF	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	371131 pcs	Fiche technique	IRFHM8337TRPBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Séries	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 25W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	IRFHM8337TRPBFTR SP001572684
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 12A (Ta) 2.8W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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