IRFHS8342TR2PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFHS8342TR2PBF
Fabricant / marque:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Livret des spécifications:	IRFHS8342TR2PBF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4878 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4878 pcs

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Spécifications de IRFHS8342TR2PBF

Modèle de produit	IRFHS8342TR2PBF	Fabricant	International Rectifier (Infineon Technologies)
La description	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4878 pcs	Fiche technique	IRFHS8342TR2PBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-PQFN (2x2)
Séries	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	6-PowerVDFN	Autres noms	IRFHS8342TR2PBFCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8.8A (Ta), 19A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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