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Infineon Technologies
| Modèle de produit | IRLML6302GTRPBF | Fabricant | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 888862 pcs | Fiche technique | IRLML6302GTRPBF.pdf |
| Tension - Test | 97pF @ 15V | Tension - Ventilation | Micro3™/SOT-23 |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V | Vgs (Max) | 2.7V, 4.5V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Séries | HEXFET® |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mA (Ta) |
| Polarisation | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Autres noms | IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR SP001550492 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | IRLML6302GTRPBF |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3.6nC @ 4.5V | type de IGBT | ±12V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5V @ 250µA | Fonction FET | P-Channel |
| Description élargie | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20V |
| Ratio de capacité | 540mW (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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