International Rectifier (Infineon Technologies)| Modèle de produit | SPA12N50C3XKSA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 5690 pcs | Fiche technique | SPA12N50C3XKSA1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TO220-FP |
| Séries | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 33W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack | Autres noms | SP000216322 SPA12N50C3 SPA12N50C3IN SPA12N50C3IN-ND SPA12N50C3X SPA12N50C3XK SPA12N50C3XTIN SPA12N50C3XTIN-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 560V |
| Description détaillée | N-Channel 560V 11.6A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11.6A (Tc) |
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