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International Rectifier (Infineon Technologies)
| Modèle de produit | SPB11N60C3ATMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 24794 pcs | Fiche technique | SPB11N60C3ATMA1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TO263-3-2 |
| Séries | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Autres noms | SPB11N60C3ATMA1DKR SPB11N60C3INDKR SPB11N60C3INDKR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
