International Rectifier (Infineon Technologies)| Modèle de produit | SPU02N60C3BKMA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 71268 pcs | Fiche technique | SPU02N60C3BKMA1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TO251-3 |
| Séries | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Autres noms | Q67040S4659 SP000015064 SPU02N60C3 SPU02N60C3-ND SPU02N60C3X SPU02N60C3XK |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.8A (Tc) |
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