2SK3018T106

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SK3018T106
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
Livret des spécifications:	2SK3018T106.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	228593 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 228593 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.162

10 pcs: $0.146

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500 pcs: $0.044

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Spécifications de 2SK3018T106

Modèle de produit	2SK3018T106	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	228593 pcs	Fiche technique	2SK3018T106.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	UMT3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Autres noms	2SK3018T106CT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13pF @ 5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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